工业级高速光纤光谱仪_上海辰昶仪器设备有限公司

EQ2000系列光谱仪主要面向工业用户,其优越的采集速度和热稳定性远超其他同类产品：

其优越的高速处理器搭配赛普拉斯USB芯片，解决了很多工业场景中对快速采集的需求；
采用CT非交叉对称光路，有效的降低了杂散光，提高了系统分辨率；
面对弱光应用，我们使用辰昶高增透聚焦技术，大幅提升系统灵敏度；
为解决工业在线同步检测需求，我们推出辰昶GPIO接口，用户可以通过USB,串口,SPI，网络等实时同步采集；
我们也为客户提供基于.NET框架的软件二次开发工具包——ChNetDriver,开发包功能强大，支持热插拔，支持同时控制辰昶仪器全线光谱仪产品，用户添加引用之后直接可以直接调用函数实现各种功能，客户编程语言支持C#, C/C++, Java, Delphi, Matlab, Labview, VB,VBA, Python 等，也为Linux,Mac系统的用户提供函数库，为各种操作系统平台的用户提供最全支持。

EQ2000光谱仪实物图

规格参数
探测器参数:	探测器：	Sony ILX554线阵CCD
	入射狭缝（um）：	5、10、25、50、100、200、250
	光栅：	Grating1
	像素点数：	2048
	消高阶处理：	根据所选波长配备合适消高阶滤光片
电参数:	A/D位数：	16位
	接口：	USB、串口、SPI
	外触发接口：	辰昶GPIO，30pin，支持辰昶外扩展采集卡
	触发模式：	4种触发模式：软件模式(freeRun)/电平触发/沿触发/同步触发
	功耗：	250 mA @ 5 VDC
结构参数:	体积（长宽高）：	114mm90mm27mm
	重量：	0.4kg
	接口：	SMA905
光学参数:	波长范围：	190nm-1100nm
	光学分辨率：	1.33nm FWHM（典型值,与波长范围有关）
	波长分辨率：	0.1nm（典型值，与波长范围有关）
	线性度：	>99%
	积分时间：	1ms~65s
	暗噪声：	50RMS Counts
	动态范围:	光谱：1300:1；系统：8.5*10^7
	信噪比：	300:1
	光学系统：	75mm焦距，F/#:6，对称非交叉CT光路

分辨率对照表

波长范围(nm)	10um	25um	50um	100um	200um
200-425	0.2	0.26	0.36	0.58	1.2
200-535	0.28	0.36	0.5	0.85	1.7
200-755	0.43	0.5	0.79	1.65	3.3
200-1100	0.75	0.98	1.5	3	5.5
240-900	0.48	0.6	0.95	1.8	3.82
300-1100	0.65	0.74	1.21	2.28	4.71
350-1100	0.62	0.71	1.15	2.11	4.41
365-700	0.35	0.41	0.51	0.83	1.69
380-960	0.55	0.64	0.88	1.58	3.14
775-1100	0.35	0.40	0.46	0.65	1.22

使用辰昶光纤光谱仪产品，并标注“choptics”的文献清单（部分）

* "Effect of Hydrophobic Moieties on the Assembly of Silica Particles into Colloidal Crystals " Langmuir(2023) 影响因子：4.331，单位：上海交通大学，作者：Soumia Cheddah, Zihang Xia, Yan Wang,* and Chao Yan*
* "Switching the Nonlinear Optical Absorption of Titanium Carbide MXene by Modulation of the Surface Terminations " ACS Nano(2022) 影响因子：15.881，单位：同济大学，通讯作者：张弛等
* "Self-Powered Interactive Fiber Electronics with Visual–Digital Synergies; ADVANCED MATERIALS(2021) 影响因子：30.849，单位：东华大学，作者：Yang Weifeng , Gong Wei , Gu Wei , Liu Zhaoxu , Hou Chengyi , Li Yaogang , Zhang Qinghong , Wang Hongzhi
* "Visualization of gaseous iodine adsorption on single zeolitic imidazolate framework-90 particles; Nature Communications(2021) 影响因子：14.913，单位：西南科技大学，作者：何毅、雷雨婷等
* "Vertical Heterostructure of SnS−MoS2 Synthesized by Sulfur- Preloaded Chemical Vapor Deposition" ACS Applied Materials & Interfaces(2020) 影响因子：8.758，单位：同济大学，通讯作者：张弛等
* "Realizing Saturable Absorption and Reverse Saturable Absorption in a PEDOT:PSS Film via Electrical Modulation" ACS Applied Materials & Interfaces(2020) 影响因子：8.758，单位：同济大学，通讯作者：张弛等